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| 製品名 | 用途 | 置換/還元 | 特長 |
|---|---|---|---|
| ゴブライト TCL-61 | プリント基板 | 置換 | SMT対応の表面処理(はんだ濡れ性、接続性)を目的にした置換型ストライク無電解金浴。特に中性還元金ゴブライト TMXの下地めっきとして使用が可能 |
| オーリカル TKK-51 | プリント基板 | 置換 | SMT対応の表面処理(はんだ濡れ性、接続性)を目的にした置換型ストライク無電解金浴。特に中性還元金ゴブライト TMXの下地めっきとして使用が可能 |
| ゴブライト TAM-55 | プリント基板 | 置換 | 置換型フラッシュ金浴。従来浴に比べ、金析出時の下地ニッケルへの腐食を減らすことができる |
| ゴブライト TAM-LC | プリント基板 | 置換 | 置換型フラッシュ金浴。従来浴に比べ、金析出時の下地ニッケルへの腐食を減らすことができる。TAM-55よりコスト面で有利 |
| ゴブライト TAW-66 | プリント基板 | 置換 | 置換型ストライク金浴でありながら、下地無電解ニッケル皮膜の腐食が少なく被覆性に優れている。この特性により、浴管理が容易で耐湿性とはんだ接合性に優れたENIG皮膜が得られる |
| ゴブライト TFR-33 | プリント基板 | 置換 | 中高リン無電解ニッケル下地向けの置換金浴。下地無電解ニッケルの腐食が少なく被覆性に優れている。この特性により、浴管理が容易で耐湿性とはんだ接合性に優れたENIG皮膜が得られる |
| ゴブライト TIG-10 | プリント基板 | 置換 | 高リン無電解ニッケル対応の置換型無電解フラッシュ金浴。従来浴よりも低金濃度であり、コスト面で有利 |
| ゴブライト THP-14 | プリント基板 | 置換 | 高リン無電解ニッケル対応の置換型無電解フラッシュ金浴。金皮膜の密着性に優れている |
| ゴブライト TLM-44 | フレキシブル基板 | 置換 | FPC用のニムデン NPGシリーズ向け置換金浴。下地無電解ニッケルの腐食が少なく被覆性に優れている。また従来浴よりも低金濃度であり、コスト面で有利 |
| ゴブライト TWX-40 | プリント基板、パッケージ基板 | 置換還元 | パラジウム上に直接金皮膜を形成することができるENEPIG用無電解還元金浴。金皮膜を厚付けすることができ、はんだ接合性及びワイヤボンディング特性に優れたENEPIG皮膜が得られる |
| ゴブライト TNK-24 | プリント基板、パッケージ基板 | 置換還元 | ENEPIG向け置換還元タイプの無電解金浴。パラジウム上に直接金皮膜を形成可能。シアン補給フリー。はんだ接合性及びワイヤボンディング特性に優れたENEPIG皮膜が得られる |
| ゴブライト TSB-71 | プリント基板 | 置換還元 | 置換還元タイプの無電解金浴。下地無電解ニッケル皮膜の腐食を限りなく抑制する |
| ゴブライト TSB-72 | プリント基板、パッケージ基板 | 置換還元 | 置換還元タイプの無電解金浴。カバーリング性が良好。中性亜硫酸還元厚付け金めっき(ゴブライト TMX)プロセスのストライク浴及びENEPIG用としても使用が可能 |
| ゴブライト TFS-10 | プリント基板、パッケージ基板 | 置換還元 | IGEPIG向け置換還元タイプの無電解金浴。第1層及び第3層に共用可能であり、ワイヤボンディング性に優れたIGEPIG皮膜が得られる |
| ゴブライト TCU-38 | プリント基板 | 置換還元 | 銅上に直接無電解金めっきが可能な置換還元タイプ浴。銅素材へのアタックが無い。圧延銅箔にも使用できる |
| GOBEL-2M | セラミック基板 | 還元 | 厚付けが可能な無電解金浴。従来の無電解金浴と比較して低温で、厚付けが可能 |
| ゴールリック TRA | セラミック基板 | 還元 | アルカリ性厚付け無電解金浴。析出速度が速く、厚付けが可能で、反応性が高く、微細パターンにも均一に析出する |
| ゴブライト TMX-22 | パッケージ基板(LGA) | 還元 | 中性自己触媒タイプの無電解厚付け金浴。安定性とともに優れた耐熱性を示す |
| ゴブライト TMX-23 | パッケージ基板(ワイヤボンディング) | 還元 | 中性自己触媒タイプの無電解厚付け金浴。安定したワイヤボンディング特性を示す。ソルダーマスクへのアタックを抑制する特性も示す |
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