チップコンデンサ単体試験片試験片形状母材下地すずめっき種＊すずめっき厚平板曲板銅銅なしなし3μｍ8μｍ3μｍ8μｍABAB42alloy42alloy①②③④⑤⑥①②③④⑤⑥Ni＝2μｍNi＝2μｍこの条件にて熱サイクル試験槽内にWHISKER実験試料4台を大気下で配置して熱サイクルを実施している。また、参考評価として真空配管（内部を排気し、真空環境下を模擬した配管）内にめっき板を取り付け、WHISKER実験試料と同等の熱サイクルを実施している。なお、地上対照試験は2年目まで完了しており、2019年2月18日より3年目の熱サイクル試験が開始されている。5地上および軌道上1年目の比較評価結果地上対照試験および軌道上曝露実験の1年目の比較評価結果を観察した。5.1WHISKER実験試料内の各領域の比較結果（地上1年目と軌道上1年目の比較を含む）未コート領域での比較結果：地上1年目に対して、評価項目比較対象未コート領域で成長すると想定されるすずウィスカの測長と特徴,発生量に対する飽和状況を評価する.また,抑制対策であるコート処理領域でのウィスカ成長の有無を確認し,コート剤による抑制効果の評価を行う.実験試料内の各領域サンプルの比較結果を5.1,5.3,5.4項に記載初期取得データと,1年間放置後の軌道上曝露品,地上対照品の,コート剤のウィスカ抑制効果を比較評価する.また,コート剤特性の経時変化についても評価する.初期取得データと1年間放置サンプルの比較結果を5.2,5.5項に記載軌道上と地上の環境（真空や放射線,微小重力等）によるすずウィスカの成長や,ウィスカ抑制効果の違いなどの状況を比較評価する.軌道上と地上に放置したサンプルの比較結果を5.1～5.5項に記載＃太陽β角度1サイクル内の予測値必要日数必要サイクル数最高温度最低温度温度差100°89.0℃－9.0℃98.0℃41656215°81.0℃－5.0℃86.0℃871392330°65.0℃－140℃79.0℃1031648445°30.0℃－25.0℃55.0℃721152560°4.0℃－29.0℃33.0℃44704675°19.0℃－32.0℃13.0℃18288図4試験片ブロックの構成と試験片の種類＊すずめっき種：A：結晶成長抑制剤を添加浴皮膜（ウィスカ発生防止浴）,B：結晶成長抑制剤を無添加浴皮膜表2比較評価項目と比較対象物の関係表3地上での温度サイクル試験条件1サイクル時間:90分1年間：（#1～#6）×1,2年間：（#1～#6）×2,3年間：（#1～#6）×3処理＊本熱条件は事前の軌道上熱解析から設定しており,実際に軌道上で曝された熱環境と同じではない.12
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